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第四十二章 野望
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    第四十二章 野望(第 2/4 页)

    “研发一种x射线高敏胶。”

    “x射线高敏胶?社长是想研发光刻胶吧!”马知力一听便知道黄明哲的打算。

    黄明哲点了点头:“没有错,就是x射线级别的光刻胶,我提几个要求,波长最好在3~8纳米之间;x射线敏感度要足够高,最好可以在几秒钟之内彻底溶解;另外对于x射线的能量级别,最好不需要高能级就可以实现快速光分解。”

    “社长,如果我们研发x射线光刻胶,这个可是没有客户的。”马知力提醒道。

    目前市面上的光刻机的光源,一般分为紫外光(uv)、深紫外光(duv)、极紫外光(euv),其中最先进的光刻机,就是尼德兰的阿斯麦公司生产的极紫外光(euv),波长为13.4纳米。

    但是其实在上个世纪八十年代,光刻机行业之中,还有除了极紫外光(euv)路线,还存在着另一个路线——x射线光刻机。

    为什么波长在10纳米以下的x射线光刻机,最后被极紫外光(euv)淘汰?

    原因有两个,一是效率问题,x射线照射下光刻胶的光刻速度比较慢;二是精确度问题,为什么说波长10纳米以下的x射线,光刻精度差?因为掩模做不到10纳米以下。

    掩模就是电路图的母板,为什么极紫外光(euv)的精度高,原因在于紫外光可以使用凸透镜缩小从掩模过来的光线,而所有人都知道x射线的穿透力非常强,凸透镜根本无法聚焦。

    所以x射线光刻机被淘汰了。

    市面上没有x射线光刻机,也就意味着没有客户。

    “这个问题不是问题。”

    “社长没有客户的话……”

    黄明哲打断了马知力:“知道x射线光刻机为什么被淘汰吗?”

    马知力点了点头。

    “效率问题在于光刻胶的光敏性,如果我们研发一种可以在几秒钟内完成光刻的x射线光刻胶,那效率还是问题吗?”黄明哲反问道。

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