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    第864章 EUV亚洲联盟(第 3/4 页)

    ……

    二十分钟后，苏远山拧开矿泉水喝了一口。

    “材料的方向，本质上是技术发展的方向。之前我们说了材料，其实也就说了未来半导体产业发展的趋势，甚至以此为基础的科技产品和技术运用的方向，因此这方面就不再赘述了。”

    “但就传统半导体，或者说芯片领域而言，还有一根鞭子在背后使劲地抽着我们。”

    台下便笑了起来。

    苏远山也一边摇头一边笑道：“摩尔定律害人不浅啊……”

    “我们不得不承认一个事实，在过去的十几二十年中，摩尔定律之所以能得以延续，最大的功臣，便是光刻机。”

    “正式因为光刻机的进步，才让制程和工艺得以进步，摩尔定律得以延续。但我们同样知道，光刻机最核心的光源系统上，193nm魔咒已经横亘了许久，有无数家企业都在向它发起挑战。甚至在a国，还组成了euv联盟……”

    说到这里，苏远山嘴角轻轻翘了翘：“似乎，我们在座的没有一家euv联盟的成员。”

    在场众人便开始眼观鼻，鼻观心起来——特别是坐在第一排的大佬们。

    “不过我今天倒是有个好消息带给大家。”苏远山望向众人，特别是第一排：“但不是现在。”

    “……在设备无法满足我们沿着摩尔定律奔跑的时候，我们就应该另辟蹊径，甚至，即便没有设备上的桎梏，我们也需要对芯片的架构设计上进行升级。”

    说着苏远山开始翻页。

    “这是此前被纳入标准的finfet结构，相比平面型mosfet结构，它增大了栅围绕沟道的面，加强了栅对沟道的控制，从而可以有效缓解平面器件中出现的短沟道效应，大幅改善电路控制并减少漏电流，也可以大幅缩短晶体管的栅长，也正由于该特性。它无须高掺杂沟道，因此能够有效降低杂质离子散射效应，提高沟道载流子迁移率……”

    “当然，它的实现，对工艺的要求也极高，甚至在目前看来，只有在30nm以内的制程工艺中，它才拥有必要性。但无论何种结构，随着芯片的设计越来越复杂，整合程度越来越高，所以，在未来的工艺流程上，刻蚀的步骤都将会变得越来越重要。”

    苏远山视线望向了第三排。

    尹志尧就坐在中间靠边的位置，安静得就像个无事人一样——中微电子的刻蚀机已经拿下了德远的订单。

    苏远山再次翻页，显出了麒麟soc的设计图。

    ……（我操，别真成了写报告了……打住。）

    随着苏远山不断翻页，时间也慢慢流逝，不知不觉中，便已经过去了一个半小时。

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