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    第406章 唬人的玩意(第 2/3 页)

    唐小川点点头：“刘总提的这个把握好放开的时间的想法说得很好，放开出口限制的目的是要既可以打击竞争对手，又要能够迅速占领市场，等到泰记电的3纳米芯片要投放市场的时候要让他们知道他们已经没有机会了！”

    说到这里，唐小川又对刘志远说：“刘总，关于放开出口国外市场的问题，你向上面说明一下情况，打个招呼！”

    “好的，老板！”

    会议结束之后，唐小川回到办公室。

    此时已经是夜里七点过五分，关靖雯打来电话，“老公，等你回来吃饭！”

    “我刚开会结束，回到家估计要大半个钟头！”

    唐小川下楼坐到车上，抬手说：“老雷，联系柳教授！”

    “好的，先生！”

    柳教授的三维虚拟影像出现在车内，“老板，您有什么吩咐？”

    “柳教授，上次传给你的关于阿迪蒙公司的2纳米制程芯片技术，你觉得怎么样？”

    柳教授说道：“在量子计算还没有太大的进步情况下，人们依旧把在单位面积下的载体上植入更多的晶体管作为提升处理器性能和降低功耗的办法，但是在硅材料上，5纳米已经是极限，如果再缩小栅极宽度，电子的运动就无法控制，量子效应就会发生，人们在没有更适合材料的情况下，只能通过研究减小量子效应的办法，比如研究新的晶体管结构，让电子更容易通过！”

    “实际上，从10纳米开始就发生了量子效应，到了7纳米就更加明显了，这也是为什么晶体管结构越来越复杂的原因，这些技术上的改变就是为了要尽量减少量子效应发生，不让电子四处逃逸，现在阿迪蒙公司的2纳米芯片上的晶体管采用的架构与目前主流的finfet架构不同，采用的是环绕式栅极（agg），finfet架构相当于平面结构，而agg是立体结构，agg是四星公司首先采用的架构，不巧的是阿迪蒙公司的这个2纳米芯片也是agg，但agg架构又分为纳米线结构和纳米片结构，阿迪蒙公司的2纳米就是采用的三层水平堆栈的纳米级硅片！”

    柳教授伸手一指，虚拟影像上出现了一副立体图，“您看这个晶体管结构图，这就是阿迪蒙公司的2纳米芯片上的晶体管构造图，三层纳米片，每层纳米片之间的高度是5纳米，栅极长度12纳米，44纳米多接触式节距！”

    唐小川问道：“不是说2纳米吗？我怎么没看到所谓的2纳米？栅极长度应该2纳米才对啊？”

    柳教授笑着说：“2纳米只是一个说法，并非指物理上的栅极长度2纳米，而是等效成了晶体管上的节点密度！”

    唐小川忍不住骂道：“吗的，故弄玄虚！我还以为他们真的在硅片材料上做出了真的2纳米栅极长度的芯片呢，不过他们通过三层堆栈纳米片的这个晶体管的确提高了芯片性能和降低了功耗，我们的芯片是否也可以采用这种晶体管构架？”

    柳教授说道：“如果用他们的这种结构，我们公司就得购买专利授权，不过我们公司的3nm+同样采用了立体架构，只是与这种纳米线结构和纳米片结构都不同，所以它在性能上和功耗方面都要比3纳米高得多，而且我们的3纳米芯片是使用的全新材料，这种材料不会出现硅片在五纳米就会发生极限量子效应的情况，它可以让我们一直用到一纳米制程芯片！”

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